2底材可以是陶瓷桂硅带玻璃等等，沉积的方法有化学气相沉积液相外延等7现在倍受关注的03快速热沉积法，其工艺过程需要耐高温衬底，使得陶瓷衬底成为很好的候选材料。比较合适的为些硅或铝的的化合物，如551332，3，以2，3，50，等，其中目前有应用的是单晶硅多晶桂包覆的石墨5玻璃碳杂质阻挡层来实现在异质底材上生长多晶硅薄膜有源层，成型工艺采用扎膜法，黏合剂选用20的PVA水溶液，粉料和黏合剂按40的重量比混合，练泥后放在密封潮湿处陈腐24小时后在轧膜机上扎膜，轧膜的厚度为轧制后裁成46，20瓜，1基片。
烧结工艺采用两条技术路线，是对于要求纯度较高的衬底材料，不宜用添加液相等方法来降低烧结温度，可以采用24001无压烧结方法来烧结小颗粒纯5粉末。是采用富51的0的烧结方案，即将硅粉碳粉和碳化硅粉以定的比例混合，轧膜后在气氛保护炉中加热到1450，左右，此时熔化，部分和反应生成35，熔融状态的物质把原来的5澈掀鹄矗，纬捎幸欢ㄇ慷鹊钠，闯牡撞牧稀，5衬底先后用丙酮和无水乙醇进行超声波清洗，然后依次放在504和0按52和按16的比例配制的混合液煮沸，时间均为10分钟。最后用去离子水冲洗后在，气氛中用红外灯烘干备用。
处理后的5样品分为两组，组用，0，0沉积，53队作为杂质阻挡层，将两组样品置于，0系统中生长薄膜，生长温度为00150生长速率为1.5岬，薄膜厚度为46叫。探针测量和1沾测量测得薄膜的方块电阻为15.2，口，薄膜的电阻率为，7，掺杂浓度为5.5+17，3，迁移率为130，以扫瞄电镜显未覆盖杂质阻挡层的样品沉积的多晶硅薄膜晶粒大小为几个微米左右，覆盖513队杂质阻挡层的样品沉积的多晶硅薄膜晶粒大小为几十微米，射线显两种样品为多晶硅谱线。差别不大实验结果明，5衬底的空隙太多造成沉积多晶硅薄膜晶粒较小。而且影响隔离层513队在10000下经快速热退火处理后没有变成硬氮化硅。电镜照片显沉积的多晶硅结构疏松，也存在较多的孔洞，所以要想获得较好的沉积效果，首先要改善衬底的性能，提高其致密度同时我们发现在多晶硅薄膜沉积致密区域，取得了较好的效果。
多晶硅薄膜的沉积质量，很大程度上取决于衬底的性质，杂质阻挡层可以有效的改善陶瓷衬底的性能。对衬底材料的组成有特殊的要求，特别是要避免活跃的金属离子的存在，防止其在高温下扩散到有源层，导致转换效率的下降；衬底的结构，特别是致密度与平整度和沉积的多晶硅薄膜质量有很大的关系，要尽量提高衬底的致密度，可以采取等静压成型热压烧结的方法来解决，进步的实验和后续工艺正在进行中。
黄勇，1937年出生，现任，华大学材料科学与工程研究院常务副院长材料系教授博士生导师。
兼任中国硅酸盐学会常务理事特种陶瓷分会理事长硅酸盐学报副主编863计划新材料领域高性能陶瓷与陶瓷基复合材料专负责人3 863新材料领域软课专家组成员等。
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