保证对太阳光的短波和长波有好的响应降到满意值

　　根据太阳电池的理论分析，当今硅太阳电池，无论在理论的优化结构设计还是在实际的太阳电池制备工艺上都达到了相当完美的程度。降低I、R值和提高I，也就是提高采取了在太阳电池表面制备绒面结构或更好的”倒金字塔“结构，镀单层或双层减反射膜，以减少表面反射损失。前后表面都生长二氧化硅层的全钝化结构，以大大降低表面复合速度。

　　选择优质的、少子寿命长的衬底，即具有低的体复合。优化的几何结构设计，保证各区光生少子的扩散长度大于各区的几何厚度。前表面受光区的淡磷扩散和背场、背反射器的制作，以保证对太阳光的短波和长波有好的响应，整个波段都有高的收E、集效率。这些工艺措施已应用于太阳电池的实验研究和生产中，并大大地提高了入。前表面金属栅线下进行浓磷扩散，背面制作p一p 结，均能减小金属和半导体间的接触电阻，从而降低R、值。在设计中，将衬底体电阻、金属栅线本身的电阻、扩散薄层电阻（配合栅线密度的设计）降低到最低限度，可以将R，降到满意值。

　　防止n /P 结和电池周边短路以及低电阻桥路，可以使尺值提高。这些工艺措施能使FF值大为提高。在背场太阳电池的设计中，其背面高低结能产生光伏效应的条件为：入射光截止波长凡在太阳电池中的吸收厚度d全基区厚度W p且要求基区少子扩散长度L。否则高低结的背场作用不能发挥，p 区只能对制作良好的欧姆接触、降低I和背表面复合速度起作用。2）铝背场Si太阳电池的优点是：与常规电池相比，铝背场电池基本上不增加工艺步骤，注意到叮之2卿的条件，即可得到满意的结果。背场高低结的制作是一举多受益的好结构。3）由本文的背面高低结结构的理论分析和实验结果知道：若在太阳电池的入光面引入n 一n高低结，或作一个较大的掺杂浓度梯度分布层，则能实现相应于背场效应的全部收益，即能降低前表面对光生空穴的复合等。