光子流量测量研究实验

　　一束平行光照射到硅片表面，在硅材料内部产生大量电子一空穴对。由于表面处晶格发生中断，在表面处形成表面势，光注入产生的过剩电子一空穴对受表面势影响，发生分离，从而建立表面光电压阁。通常，表面光电压法可分为两大类：工常量表面光电压法和n常量光子流。

　　在光照下，输出电压与样品中的过剩少子直接相关，射频线路信号随时间变化可用示波器来记录并转化为光电导信号。选择合适的迁移率模型闭可以将光电导信号转化为过剩载流子浓度。同时，入射光的光强度可以通过已校准的太阳电池片进行测t，考虑测t片和校准片的反射差别，可得到待测片中的产生率序。面光电压是一个复杂的效应，受到表面复合、表面陷阱的影响。以p型半导体为例，由于表面势垒的存在，表面光电压可认为与空间电荷区边缘的过剩载流子浓度n（W）成正比，W是空间电荷区宽度。与传统的光电导方法相比，QSSPC可以同时测t载流子的注人浓度，从而得到样品的寿命一注人浓度关系。和其他瞬态的方法相比，它可以测量非常低的寿命而无需对脉冲信号的电性质加以控制（如调节脉冲宽度），寿命测量下限由脉冲光强决定。

　　对不同波长的光采用相同的光子流量，表面光电压倒数值随吸收系数的倒数呈线性变化，测量轴上的截距也是少子的扩散长度。子寿命值通常会低于其他的测试方法，而且由于光照不均匀，会导致过剩载流子横向流动，在发射区形成表面电压，影响到最终的测试结果。光电导衰减和表面光电压法是测量少子寿命的标准方法；表面光电压法受表面复合的影响最小；准稳态光电导方法虽然出现的时间较晚，但近年来得到较大的发展。光电导和准稳态光电导主要用于测量原始的硅材料，而表面光电压和开路电压法可用于测量带有p一n结的材料。