低纯度颗粒硅带上硅薄膜太阳电池的研究

　　2工艺的研究带来相当大的困难。

　　实验中，采用尺70方法沉积多晶硅薄膜作为电池的活性层。5识1286分别作为载气反应剂及，型掺杂剂。生长温度00 50微米，晶粒尺寸与衬底相当。生长活性层之前，先生长310微米，+层。

　　生长速度是薄膜外延的重要参数，对高杂质衬底上的外延更是如此。快速生长可以使杂质在薄膜中的含量逐次降低，从而减少其有害影响。在质量转移控制条件下，主要靠反应剂分压的变化来改变生长速度。实验中的薄膜生长速度可达5微米分钟。实验中发现在高反应剂分压下，生长速度出现饱和甚至下降。可能有两方面原因解释这现象5旧0分解的副产物只，气体对样品的腐蚀作用增强；掺杂剂分压的减小使混合气体的饱和点降低，促进了气态中微粒的形成，从而使有效反应剂减少。具体机理有待进步研究。

　　薄膜生长后的电池制备包括扩散形成N型发射区电极制作F0rmmgGaS或氮气气氛退火等离子体气相化学沉积叩0，制备514减反射层。

　　结果虽然尚待改进，但己大大超过3叫6太阳能所用直接生长方式在提纯冶金级硅带衬底上的结果效率为1.6.通过薄膜电阻率发射结面钝化及氢退火条件的改进，有望使电池效率进步提高，致谢感谢中国科学院广州能源所沈辉教授的支持并提供衬底材料。