多晶硅太阳电池光伏参数分析

　　多晶硅太阳电池光伏参数分析在多晶硅太阳电池的正面浓磷扩散能形成区，背面印义能形成扩区和51合金，51合金除了具有吸杂作用外，类似背反射器，具有背场的作用，即背场效应，2.多晶桂太阳电池正面浓磷扩散和背面深扩散铝时，磷和铝扩散入晶界和晶粒，并向晶粒内部横向扩散，在和，界面区域分别形成横向的和口+高低结和势垒。当晶界重掺杂后，晶界内将聚集更多的施主在，区和受主杂质在，区，并向两侧扩散，在晶界形成+和13+区。

　　在品粒内界面处的，和0分布结构将形成个阻止光生载流子向晶界运动的界面场，减少了光生载流子在晶界的复合，而被，结收集的光生少子数相应增加，其结果就是有效扩孟凡英崔容强周之斌上海交通大学物理系太阳能研究所上海，200240 1.85和界面场效应影响多晶硅电池效率的主要因素是晶界的悬挂键和缺陷形成的界面态对光生载流子的复合。实验发现，对，型多晶硅电池正而深扩散磷和背面深扩散铝后，短路电流和开路电压都提高，作者认为这归因于下面的个原因1磷和铝的吸杂作用磷和锡在界面扩箧呀收或去除了界面的有害金属杂质，从而使少子扩散长度增加2界面场效应。通常，界面复合发生在少子扩散长度的范围内，由于晶界的掺杂浓度大于晶粒的掺杂浓度，掺杂会在晶粒晶界界面形成了高低结势垒，界面势垒使向界面运动的光屯少子反射，晶粒体内，从而减小了界面复合的光生少子数这是界面扩散形成的场效应385作用，制结完成后要丝网印刷背场并烧结。在制作电池的过程中，我们进行了系列的烧结实验，发现在800.，左右是适宜的烧结温度，并且开路电压能达到656，1.

　　散长度变长，短路电流增大。

　　2.多晶硅太阳电池1特性分析伏安特性是太阳电池的主要参数，它直接反映电池输出功率。在定光强下，伏安特性曲线由电池的结特性和电阻分散参数确定。3是我们在实验中得到的曲线，从中可以发现沉积氮化硅薄膜后多晶硅太阳电池的开路电压短路电流和转换效率；提高，但是填充因子仲和并联电阻下降。从下面的公式可以知道电池的转换效率随，乙项乘积的增加而增加。

　　从3可以发现，多晶硅太阳电池前面沉积，化硅膜后，短路电流提高32以上，转换效率增加35以上。在，0沉积氮化硅膜的过程中，由于大量的等离子轰击硅片面，在硅片面和硅体内容易产生许多缺陷和位错，增加了耗尽区的复合。这些因素都可能导致填充因子和并联电阻下降。但这可以采用退火处理，能减少多晶硅中的缺陷，同时增强钝化效果。关于多晶硅的有效钝化工艺还需进步深入研究。

　　叫有氮化硅减反膜=6，